ナノ構造の分離

专利摘要:
本発明は、概して、密度の差に基づいてナノ構造の１つ以上の集団を、ナノ構造の１つ以上の他の集団から分離することに関する。非常に類似するか、または同一のナノ構造の混合物全体は、ナノ構造の１つの集団が他の集団とは異なるように影響を受ける一式の条件に曝され得、そして、密度の差に基づく分離を可能にする。一部の実施形態において、ナノ構造を分離するための方法が説明され、当該方法は、複数のナノ構造を提供するステップと、複数のナノ構造のうちの第１の集団がジアゾニウム塩と反応し、複数のナノ構造のうちの第２の集団がシアゾニウム塩と反応しないようにナノ構造をジアゾニウム塩に暴露するステップと、密度の差に基づいて第１の集団と第２の集団とを分離するステップと、を含む。
公开号:JP2011505315A
申请号:JP2010534966
申请日:2008-11-21
公开日:2011-02-24
发明作者:ウー；ジェ キム，；マイケル；エス． ストラノ，
申请人:マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー；
IPC主号:C01B31-02

专利说明:

[0001] （関連出願の相互参照）
本願は、Ｓｔｒａｎｏらによる米国仮特許出願第６１／００４，００９号（名称「Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」、２００７年１１月２１日出願）の利益を主張し、この出願の開示は、その全体が本明細書に参考として援用される。]
[0002] （発明の分野）
本発明は、概して、ナノ構造の分離のためのシステムおよび方法に関し、特に、密度の差に基づいて、ナノ構造の集団を他のナノ構造の集団から分離するシステムおよび方法に関する。]
背景技術

[0003] 様々なナノ構造が、構造材料から電子機器に及ぶ産業における使用に対して企図されてきた。例えば、カーボンナノチューブは、将来のナノエレクトロニクスの新規供給源として強調されている。カーボンナノチューブは、小さい直径を有する高いアスペクト比、貴金属のそれよりも１０３倍高い電流容量（１０９Ａ／ｃｍ２）、純ダイアモンドのそれよりも２倍高い熱伝導率（６６００Ｗ／ｍＫ）を有し得、それらは、室温で、多ミクロンに渡って弾道導体であり得る。カーボンナノチューブは、グラフェンシートが巻かれて所望のナノチューブを形成する方法に依存して、金属性または半導電性のいずれかであり得る。金属性および半導電性のカーボンナノチューブはいずれも、超低抵抗材料から、透明導体、および金属性カーボンナノチューブの場合の電気的相互接続に及ぶ広範な用途の可能性を有する。半導電性カーボンナノチューブは、電界効果トランジスタ用途に望ましい。]
[0004] カーボンナノチューブは、通常、すべての電子型の混合物として、合成プロトコルによって産生される。そのため、カーボンナノチューブの分離および電子的分類は、これらの材料および類似する材料の広範な電子的および光学的用途に対して、依然として大きな障壁である。]
[0005] したがって、改良された材料および方法が必要とされる。]
課題を解決するための手段

[0006] 本発明は、概して、密度の差に基づいて、ナノ構造の集団をナノ構造の他の集団から分離することに関する。本発明の主題は、一部の場合において、相互関係のある産生物、特定の問題に対する代替解決策、および／または１つ以上のシステムおよび／または物品の複数の異なる使用を伴う。]
[0007] 一部の実施形態において、ナノ構造を分離するための方法が説明され、当該方法は、複数のナノ構造を提供するステップと、複数のナノ構造のうちの第１の集団が、ジアゾニウム塩と反応し、複数のナノ構造のうちの第２の集団が、シアゾニウム塩と反応しないようにナノ構造をジアゾニウム塩に暴露するステップと、密度の差に基づいて、第１および第２の集団を分離するステップと、を含む。]
[0008] 一式の実施形態において、ナノ構造を分離するための方法が説明され、当該方法は、複数のナノ構造のうちの第１の集団が、複数のナノ構造のうちの第２の集団とは異なるように、当該集団の個々の構成物の密度に影響する態様で修正される一式の条件に、複数のナノ構造を暴露させるステップと、約１００，０００ｇ未満の相対遠心力で遠心分離機を使用して、第１の集団と第２の集団とを分離するステップと、を含む。]
[0009] 一部の実施形態において、ナノ構造を分離するための方法が説明され、当該方法は、複数のナノ構造のうちの第１の集団が、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１００ｋｇ／ｍ３だけ大きくなるように修正される、一式の条件に、複数のナノ構造を暴露させるステップと、密度の差に基づいて、第１の集団と第２の集団とを分離するステップと、を含む。]
[0010] 一式の実施形態において、ナノ構造を分離するための方法が説明され、当該方法は、複数のナノ構造のうちの第１の集団が、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１０％だけ大きくなるように修正される一式の条件に、複数のナノ構造を暴露させるステップと、密度の差に基づいて、第１の集団と第２の集団とを分離するステップと、を含む。]
[0011] 本発明の他の側面、実施形態、および特徴は、添付図面と併せて考慮すると、以下の発明を実施するための形態から明白となるであろう。添付図は、概略的であり、一定の縮尺で描かれることを目的としていない。明確にする目的で、当業者が本発明を理解できるようにするために、図示が必要でない場合は、全ての構成要素が全ての図で標識化されているわけではなく、本発明の各実施形態の全ての構成要素が示されているわけでもない。参照することにより本明細書に組込まれる全ての特許出願および特許は、それらの全体で参照することにより組み込まれる。対立する場合は、定義を含む、本明細書が優位となる。]
図面の簡単な説明

[0012] 本発明の非限定的な実施形態は、概略図であり、一定の縮尺で描かれることを意図しない添付図面を参照して、実施例によって説明される。図面において、図示される同一または略同一の各構成物は、通常、単一の数字で表される。明確にする目的で、すべての図面においてすべての構成物が標識化されるとは限らず、また本発明の各実施形態のすべての構成物が表示されるとは限らず、図は、必ずしも当業者に本発明を理解させるとは限らない。図面において、
図１は、一式の実施形態に基づく、機能化ナノ構造の（ａ）対照サンプルおよび（ｂ）０．８４ｎＭ反応サンプルのＵＶ−ｖｉｓ−ｎＩＲ吸収を含む。
図２は、一式の実施形態に基づく、遠心分離後の遠心分離チューブの写真を含む。
図３は、一式の実施形態に基づく、機能化および非機能化ナノ構造の密度測定のプロットである。
図４は、一式の実施形態に基づく、ナノ構造のラマン測定のプロットを含む。] 図１ 図２ 図３ 図４
実施例

[0013] 本発明は、概して、密度の差に基づいてナノ構造の１つ以上の集団をナノ構造の１つ以上の他の集団から分離することに関する。非常に類似するか、または同一のナノ構造の混合物全体は、ナノ構造の１つの集団が他の集団とは異なるように影響を受ける一式の条件にさらされ得、そして、密度の差に基づく分離を可能にする。]
[0014] ナノ構造（例えば、カーボンナノチューブ）を製造する合成方法は、多様な物理的および化学的特性（例えば、バンドギャップ、伝導性等）を有する混合物をもたらす場合が多い。それらの特性に基づくナノ構造の集団を精製する能力は、多くの産業において有用であり得る。例えば、カーボンナノチューブは、透明導電層の産生に有用であり得、この透明導電層は、例えば、特にディスプレイ（ＬＣＤ、プラズマディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、電界放出ディスプレイ、タッチパネル等）、有機発光ダイオード、帯電防止塗料、電源の電極（例えば、光電池、リチウムイオン電池等）、燃料電池の水素貯蔵、センサ（例えば、ガスおよび生物学的センサ）、および記憶装置の相互接続において使用され得る。同様の物理的または化学的特性を有するナノ構造のサンプルを得る能力は、そのような技術開発に重要な役割を果たし得る。例えば、伝導性カーボンナノチューブを半導電性と非伝導性のカーボンナノチューブとから分離することによって、カーボンナノチューブの精製されていない混合物で形成される厚いフィルムと同等またはそれを超える伝導性を有する薄い膜を製造することができる。当業者は、他の物理的または化学的な特性に基づいて、ナノ構造の集団を混合物から分離することが望ましいような、他の用途を想像することができる。]
[0015] 本明細書で説明されるすべての実施形態において、ナノ構造の混合物の１つの集団を異なる集団から分離する程度は、ともかく可能にされているか、または説明される条件に暴露した後に改良されるかである。例えば、本質的に、ナノ構造の混合物は、本発明の技術より以前においては、密度の差に基づいて１つの集団を別の集団から分離することが、効率的に不可能であり得るか、またはごくわずかに可能であり得る状態で存在し得る。適切な条件に暴露した後においては、１つの集団を別の集団から分離する能力は、分離が測定可能な態様で実施され得るまで改善するか、または１つの集団が他の集団から効率的に全体的に分離され得るまで改善する。具体的には、一実施形態において、少なくとも２つの異なる集団を含むナノ構造の混合物は、その条件への暴露の前は、わずか約２０％完了までしか分離され得ない。この文脈において、「完了」は、別の集団からの１つの集団の分離の完了を意味し、Ｘ％完了は、他とは異なる特性を有する混合物の任意の集団のＸ％のみが他の集団から分離可能であることを意味する。しかしながら、条件への暴露後には、本発明に従って、密度に基づくナノ構造の分離は、少なくとも５０％完了まで生じ得るか、または他の実施形態において、少なくとも７０％、８０％、９０％、９５％、または９８％を超える完了まで生じ得る。]
[0016] 本明細書で使用されるように、「ナノ構造」という用語は、原子環の融合ネットワーク、および約１μｍ未満、約５００ｎｍ未満、約２５０ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約７５ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、または一部の例においては、約１ｎｍ未満の少なくとも１つの断面寸法を有する、物品を意味する。一部の例において、本明細書で説明されるナノ構造は、単一の分子である。一部の実施形態において、本明細書で説明されるナノ構造は、約１μｍ未満、約５００ｎｍ未満、約２５０ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約７５ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、または一部の例において、約１ｎｍ未満の最大断面寸法を有する。本明細書で使用されるように、「最大断面寸法」は、測定され得る個々の構造の２つの対向する境界の間の最大距離を意味する。]
[0017] 一部の実施形態において、炭素系ナノ構造が説明される。本明細書で使用されるように、「炭素系ナノ構造」は、芳香環の融合ネットワークを備え、当該ネットワークは、複数の二重結合を含み、ナノ構造は炭素を含む。一部の実施形態において、炭素系ナノ構造は、炭素質量の少なくとも約４０％、少なくとも約５０％、少なくとも約６０％、少なくとも約７０％、少なくとも約８０％、少なくとも約９０％、または少なくとも約９５％、またはそれ以上を含み得る。一部の例において、ナノ構造は、円柱、擬似円柱、または角形状を有する。一部の実施形態において、炭素系ナノ構造は、少なくとも１０、少なくとも２０、少なくとも３０、少なくとも４０、または一部の例において、少なくとも５０の芳香環の融合ネットワークを含む。]
[0018] 一部の例において、炭素系ナノ構造は、直径約数ナノメートル、長さ約数ミクロン（例えば、数１０ミクロン、数１００ミクロン等）を有する細長い化学構造を含んでもよく、結果として、１０、１００、１０００、１０，０００より大きいか、またはそれ以上のアスペクト比をもたらす。一部の例において、ナノ構造は、１μｍ未満、１００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、２５ｎｍ未満、１０ｎｍ未満、または一部の例において、１ｎｍ未満の直径を有し得る。炭素系ナノ構造は、円柱または擬似円柱の形状を有してもよく、一部の例において、カーボンナノチューブ等である。]
[0019] 炭素系ナノ構造は、実質的に平面または実質的に非平面であり得るか、または平面または非平面部分を含み得る。炭素系ナノ構造は、融合ネットワークが終結する境界を随意で含んでもよい。例えば、一枚のグラファイトは、融合ネットワークが終結する境界を含む、平面炭素含有分子であるが、カーボンナノチューブは、いずれかの端部に境界を有する、非平面炭素系ナノ構造である。一部の例において、境界は、水素原子で置換されてもよい。一部の例において、境界は、酸素原子を含む基（例えば、ヒドロキシル）で置換されてもよい。他の例において、境界は、本明細書で説明されるように置換され得る。用語「融合ネットワーク」は、例えば、ビフェニル基を含まなくてもよく、２つのフェニル環は、単一結合によって結合され、融合されない。一部の例において、融合ネットワークは、実質的に炭素原子を含み得る。一部の例において、融合ネットワークは、炭素原子およびヘテロ原子を含み得る。炭素系ナノ構造の一部の実施例は、グラフェン、カーボンナノチューブ（例えば、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ））、炭素ナノワイヤ、炭素ナノリボン、炭素ナノホーン等を含む。]
[0020] 一部の実施形態において、ナノ構造は、非カーボンナノチューブを備える。非カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブに関して上で概説された形状および寸法のいずれかであり得る。非カーボンナノチューブ材料は、ポリマー、セラミック、金属、および他の好適な材料から選択され得る。例えば、非カーボンナノチューブは、特に、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｚｎ、またはこれらの金属の合金等の金属で構成され得る。一部の例において、非カーボンナノチューブは、例えば、Ｓｉ等の導電体で形成されてもよい。一部の例において、非カーボンナノチューブは、ＩＩ〜ＶＩ族ナノチューブであり得、ＩＩ族は、Ｚｎ、Ｃｄ、およびＨｇから成り、ＶＩ族は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびＰｏから成る。一部の実施形態において、非カーボンナノチューブは、ＩＩＩ〜Ｖ族ナノチューブを含み得、ＩＩＩ族は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴｌから成り、Ｖ族は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、およびＢｉから成る。特定の実施例として、非カーボンナノチューブは、窒化ホウ素ナノチューブを含み得る。]
[0021] 一部の実施形態において、ナノ構造は、炭素および別の材料を含む。例えば、一部の例において、多層ナノチューブは、少なくとも１つの炭素系層（例えば、ベクトルに沿って結合される従来のグラフェンシート）および少なくとも１つの非炭素層（例えば、金属、シリコン、窒化ホウ素等）を含んでもよい。一部の実施形態において、炭素系層は、少なくとも１つの非炭素層を包囲し得る。一部の例において、非炭素層は、少なくとも１つの炭素系層を包囲し得る。]
[0022] 多様なナノ構造は、本発明に従って、同様のナノ構造の混合物から分離され得る。ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ粒子、コロイド粒子等の混合物は、当該技術に従って分離され得る。当該技術は、初期混合物が、例えば、すべてのナノ構造がナノチューブである混合物、またはすべてのナノ構造がコロイド粒子である混合物等のナノ構造のすべての類似型を含む場合に、特定の使用を見出す。最初に、本発明に従って、混合物は、互いから望ましく分離可能にする特徴の差を有する、少なくとも２つの集団を含む。例えば、少なくとも２つの集団は、電気伝導性、酸化還元電位等の差を有し得る。]
[0023] 一式の実施形態において、特徴の差は電気伝導性であり、１つの集団は、一式の半導電性ナノ構造を画定し、別の集団は、半導電性とは著しく異なる伝導性の一式のナノ構造を画定する（すなわち、ナノ電気使用のための当該分離等が望ましい場合がある、半導電性に関して伝導性が十分に異なる）。例えば、ナノチューブの２つの集団の間の伝導性の差（例えば、ナノチューブが金属性、半導電性、非伝導性等であるかどうか）は、２つの集団のキラル角の差に起因して生じ得る。ナノ構造（例えば、ナノチューブ）のキラル角は、当該技術分野において周知の用語である。例えば、ナノチューブのキラル角は、その六角形パターンの軸とナノチューブの軸との間の角度をいう。例えば、１つの集団は、半導電性ナノ構造を画定し得、別の集団は、本質的に非電気伝導性ナノ構造、または一式の伝導性（すなわち、特徴的に金属の）ナノ構造を画定し得る。いずれかの実施形態において、本発明は、１つの特徴のナノ構造が、他に対して選択的に影響される一式の条件、当該集団が、少なくとも１つの他の集団または本質的にすべての他のナノ構造から、その好適な分離または全体分離を可能にする程度に密度を変化させる一式の条件を選択する能力を提供する。]
[0024] 一部の例において、特徴の差は、特に、直径、バンドギャップ、熱伝導性、降伏強度、またはキラリティを含み得る。]
[0025] 本明細書で説明されるナノ構造を修正する方法（例えば、共有結合性機能化）を使用して、広範なキラリティ範囲に渡って、半導電性ナノ構造の上で金属ナノ構造を選択的に機能化してもよい。一部の例において、当該方法は、調製方法に関係なく、ナノ構造の集団の分離に有用であり得る。この高分解能の分離効率は、分離プロセスの容易な拡大をもたらすことができ、分離したナノ構造の大量生産につながる。]
[0026] 一部の実施形態において、本明細書で説明される方法を使用して、キラリティの差を有するナノ構造を分離してもよい。ナノ構造（例えば、カーボンナノチューブ（単層、二層等）、非カーボンナノチューブ等）のキラル角度の差は、選択的な化学反応の間に活用され得る電子構造の差をもたらし得る。一部の例において、ナノ構造の２つの集団の間のキラリティの差は、比較的低い場合がある。例えば、一部の例において、ナノ構造の第１の集団と第２の集団とのキラル角の差は、約３°であり得る。各集団におけるナノ構造は、それらのキラル角の差が小さい場合があるが、電子構造に対する影響は、選択的な化学反応を交互に行うために十分に大きい場合がある。特定の実施例として、（６，６）カーボンナノチューブは、３０°のキラル角を有する。（６，５）カーボンナノチューブは、約２７°のキラルラッピング角を有するが、これら２つのナノチューブは、電子的に異なる。前者は金属性ナノチューブであって、所定の化学反応で化学結合を形成できる、ディラック点付近の電子密度を有する。後者は、電子ギャップを有する半導電性ナノチューブであり、そのような結合を形成する能力は阻害される。]
[0027] 一部の例において、約４５°未満、約３０°未満、約２０°未満、約１５°未満、約１０°未満、約５°未満、または約３°未満のキラル角の差を有する、ナノ構造の第１の集団と第２の集団とは、（例えば、選択的機能化を介して）分離され得る。一部の例において、少なくとも約３°、少なくとも約５°、少なくとも約１０°、少なくとも約１５°、少なくとも約２０°、少なくとも約３０°、または少なくとも約４５°のキラル角の差を有する、ナノ構造の第１の集団と第２の集団とは、（例えば、選択的機能化を介して）分離され得る。]
[0028] 当業者は、特定の用途に最適であるそれらの条件を選択するための多数のスクリーニング技術を使用することができる。例えば、ナノ構造のうちの１つの集団を混合物から分離することが望ましい場合、当該集団が特定の特徴（例えば、半導電性特性）を有する場合、次に、望ましく分離された集団（例えば、半導電性ナノ構造）のみを他のナノ構造から暴露することによって、試験を行うことができ、その後、分離技術において、第１の集団を条件に暴露し、別個に混合物の残りを条件に暴露する。多様な技術のいずれかによって（分光法、電気伝導性等）、一式の条件下において、最初に混合された後で条件に暴露される場合、本発明を介して、ある程度、または完全に互いから分離され得る態様で、１つの集団が他とは異なるように影響されたか否かを決定することができる。化学、材料、電気化学、および関連分野の当業者であれば、この初期スクリーニングプロトコルに対する一式の候補条件を事前に選択するために、容易に入手可能な知識を使用することができる。前述されたように、様々な条件を使用して、ナノ構造を変更し、本発明に従う分離を可能にすることができる。これらは、エンティティの共有結合、好ましくは、または選択的に、別の集団に対して一式のナノ構造の１つの集団の他の結合（イオン性、水素結合、ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ結合、エッチング、メッキ、または他の処理）を伴うことができる。例えば、一式の実施形態において、４−ヒドロキシベンゼンジアゾニウム塩を使用して、金属性単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）を半導電性ＳＷＮＴから分離することができる。４−ヒドロキシベンゼンジアゾニウム試薬は、金属性ＳＷＮＴと選択的に反応し、４−ヒドロキシフェニル化学基と金属性ＳＷＮＴとの間に共有結合を形成する。４−ヒドロキシフェニル基の添加は、金属性ＳＷＮＴの密度の変化をもたらし、次いで、不変の半導電性ＳＷＮＴから密度によって分離することができる。]
[0029] 密度の差に基づいて、複数のナノ構造の１つの部分を別の部分から分離することは、様々な方法で実行することができる。１つの技術は、遠心分離による。この技術を含む通常の設備において、物体は、軸の周りを回転するように配置され、力が軸に対して垂直に適用される。比較的密度の大きい粒子は、この方式で、通常、サンプルチューブ内で、比較的密度の小さい粒子から物理的に分離される。随意で、システムの温度および圧力を低下させることができ、サンプルは、超遠心分離の場合と同様に、極めて高速で（例えば、７０，０００ＲＰＭ）で回転させられることができる。他の技術は、特に、沈殿、電界の印加（同電荷の場合）を含み得る。]
[0030] 一部の実施形態において、比較的低い相対遠心力を使用して作動する遠心分離機を使用して、ナノ構造の１つ以上の集団を分離することが望ましい場合がある。そのような遠心分離機は、例えば、分離が工業的に大容量で行われ得るように、システムを拡大する際に有用であり得る。比較的低い相対遠心力を作用し得る従来の遠心分離機は、概して、超遠心分離システムよりも低価格である。さらに、従来の遠心分離機は、一部の例において、大量の材料の処理を可能にし得る。本明細書で説明される方法で使用される遠心分離機は、約１００，０００ｇ未満、約１０，０００ｇ未満、約１，０００ｇ未満、約１００ｇ未満、またはそれ以下の相対遠心力を使用して作動し得る。一部の例において、遠心分離は、約１００ｇ〜約１００，０００ｇ、または約１０００ｇ〜約１０，０００ｇの相対遠心力を使用して作動し得る。他の実施形態において、超遠心分離を使用して、ナノ構造の１つ以上の集団を分離してもよい。そのような実施形態において、相対遠心力は、少なくとも約１００，０００ｇ、少なくとも約１，０００，０００ｇ、またはそれ以上であり得る。]
[0031] 一部の例において、結果として生じる密度の差が、より大きくなるように、ナノ構造の集団を機能化させることが有利となり得る。より大きい密度の差は、ナノ構造のより容易な分離（例えば、比較的低い相対遠心力での遠心分離）を可能にし得る。一部の実施形態において、エンティティ（例えば、官能基）は、第１の集団の個々の構成物の平均密度が、混合物内のナノ構造の少なくとも第２の集団の個々の構成物の平均密度より、少なくとも約１００、少なくとも約１５０、少なくとも約２５０、少なくとも約５００、少なくとも約７５０、少なくとも約１０００、または少なくとも約１５００ｋｇ／ｍ３大きくなるように、ナノ構造の第１の集団に結合（例えば、共有結合）され得る。一部の例において、エンティティは、第１の集団の個々の構成物の平均密度が、混合物内のナノ構造の少なくとも第２の集団の個々の構成物の平均密度より、少なくとも約１０％、少なくとも約２０％、少なくとも約５０％、少なくとも約１００％、少なくとも約１５０％、少なくとも約２００％大きくなるように、ナノ構造の第１の集団に結合され得る。]
[0032] 一部の実施形態において、４−ヒドロキシベンゼンジアゾニウム塩を使用して、ナノ構造が機能化されてもよい。一部の実施形態において、電子移動メカニズムを介して結合され得る任意の官能基は、金属性のナノ構造（例えば、金属性単層ナノチューブ）に選択的に結合され得る。本明細書での使用に好適な分子を（例えば、ジアゾニウム塩の一部として）機能化する他の実施例は、特に、４−クロロフェニル、２，４−クロロフェニル、２，４，６−クロロフェニル、４−ヒドロキシフェニル、２，４−ヒドロキシフェニル、２，４，６−ヒドロキシフェニル、４−ブロモフェニル、２，４−ブロモフェニル、２，４，６−ブロモフェニル、４−ヨードフェニル、２，４−ヨードフェニル、２，４，６−ヨードフェニル、４−カルボキシフェニル、４−メチルチオフェニル、４−メチレンジオキシフェニル、４−ニトロフェニル、２，４−ニトロフェニル、２，４，６−ニトロフェニル、４−ニトロフェニルスルホニルフェニル、４−クロロフェニルチオ、４−フェニルスルホニルフェニル、２−ブロモ−４−クロロ−６−（トリフルオロメチル）フェニル、２−ブロモ−４−（トリフルオロメトキシ）フェニル、２−ブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−ブロモ−５−（トリフルオロメチル）フェニル、２−ブロモ−６−クロロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−ブロモ−６−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−ニトロ−６−（トリフルオロメチル）フェニル、２，４−Ｂｉｓ（メチルスルホニル）フェニル、２，４−ジニトロ−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フェニル、２，６−ジニトロ−４−（メチルスルホニル）フェニル、２，６−ジニトロ−Ｎ−エチル−４−（メチルスルホニル）フェニル、２，６−ジニトロ−Ｎ−エチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジニトロ−Ｎ−メチル−４−（メチルスルホニル）フェニル、２，６−ジニトロ−Ｎ−メチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジニトロ−Ｎ−ペンチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル、２−クロロ−４−（メチルスルホニル）フェニル、ＤＯＧＳ−ＮＴＡ：１，２−ジオレオイル−ｓｎ−グリセロ−３−｛［Ｎ（５−アミノ−１−カルボキシペンチル）イミノジ酢酸］スクシニル｝、Ｖａｓｋａ化合物、トランス−［ＩｒＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２］またはトランス−クロロカルボニル１ビス（トリフェニルホスフィン）−イリジウム（Ｉ）、ウィルキンソン化合物：［ＲｈＣｌ（ＰＰｈ３）３］を含むが、それらに限定されない。]
[0033] 一部の実施形態において、ナノチューブの機能化に使用される反応は、比較的軽度の条件下で行ってもよい。例えば、比較的低い温度（例えば、約１００℃以下）または比較的軽度のｐＨレベル（例えば、約４．５〜約９．５、約５．５〜約８．５等）を一部の例において採用してもよい。一部の例において、機能化反応は、触媒を使用せずに行ってもよい。機能化は、一部の例において、紫外線放射を使用せずに達成されてもよい。]
[0034] 一部の実施形態において、機能化ナノ構造と非機能化ナノ構造との間の密度差は、（例えば、ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ力、水素結合、疎水性および／または親水性相互作用、イオン結合、双極子−双極子結合等を介して）第２の原子または分子を結合された官能基に誘引することによって強化され得る。例えば、一部の例において、水分子は、選択的に結合される官能基に結合されてもよく、密度差に基づく、より有効な分離を可能にする。一部の実施形態において、ナノ構造の第１の集団は、機能化ナノ構造と第２の原子または分子（例えば、水）との間で形成される複合体を含んでもよく、第２の集団は、非機能化ナノ構造を含み得、第１の集団の個々の構成物の平均密度は、混合物内のナノ構造の第２の集団の個々の構成物の平均密度より、少なくとも約１００、少なくとも約１５０、少なくとも約２５０、少なくとも約５００、少なくとも約７５０、少なくとも約１０００、または少なくとも約１５００ｋｇ／ｍ３だけ大きい。一部の例において、ナノ構造の第１の集団は、機能化ナノ構造と第２の分子（例えば、水）との間で形成される複合体を含んでもよく、第２の集団は、非機能化ナノ構造を含み得、第１の集団の個々の構成物の平均密度は、混合物内のナノ構造の第２の集団の個々の構成物の平均密度より、少なくとも約１０％、少なくとも約２０％、少なくとも約５０％、少なくとも約１００％、少なくとも約１５０％、または少なくとも約２００％だけ大きい。]
[0035] （実施例１）
この実施例において、カーボンナノチューブ間の密度差を推定できる分子基寄与に基づく容量加法性モデルが説明される。ＳＷＮＴに対する化学的リガンドの結合は、それら自体の内在密度分布よりも大きい程度で、それらの密度を変化し得ると考えられた。機能化ＳＷＮＴと非機能化ＳＷＮＴとの間の密度差を推定して、４−ヒドロキシフェニル化学基によるＳＷＮＴの密度の増加が、機能化ＳＷＮＴを非機能化ＳＷＮＴから密度差によって分離するために十分大きいかどうかを調査した。第１に、ＳＷＮＴ界面活性剤アセンブリ中の様々な（ｎ，ｍ）ＳＷＮＴの密度を算出した。]
[0036] 表１に列挙されるような０．７５〜１．１７ｎｍの直径を有する、５つの異なるＳＷＮＴ型（すなわち、（６，５）、（７，６）、（８，６）、（８，７）、および（９，８）ＳＷＮＴ）の密度を算出した。推定値は、ＳＷＮＴの直径に応じて、（６，５）ＳＷＮＴの１０６３．６から（９，８）ＳＷＮＴの１０８７ｋｇ／ｍ３まで異なった。ＨｉＰｃｏ ＳＷＮＴの通常の直径分布は、この範囲（すなわち、０．７５〜１．１７ｎｍ）に該当するため、列挙されるＨｉＰｃｏ ＳＷＮＴの間での２３．４ｋｇ／ｍ３の密度差は、ＨｉＰｃｏ ＳＷＮＴに予測される最大差として考慮した。追加される官能基によるＳＷＮＴの密度の増加が、２３．４ｋｇ／ｍ３より大きい場合は、次いで、機能化ＳＷＮＴが非機能化ＳＷＮＴから分離され得ると考えられた。]
[0037] ４−ヒドロキシフェニル基による機能化ＳＷＮＴの密度は、各（ｎ，ｍ）ＳＷＮＴに対しても算出された。４−ヒドロキシフェニル基の分子質量および見かけの分子容積（１０５．３オングストローム３／分子）をＳＷＮＴ界面活性剤系に含めることにより、機能化ＳＷＮＴの密度を算出した。機能化ＳＷＮＴと非機能化ＳＷＮＴとの間の推定密度差は、（６，５）ＳＷＮＴの９４．２から（９，８）ＳＷＮＴの１０３．６ｋｇ／ｍ３まで及び、０．７５〜１．１７ｎｍの直径範囲におけるＳＷＮＴの最大密度差２３．４ｋｇ／ｍ３より大きい。これらの知見に基づいて、官能基の追加によるＳＷＮＴの密度増加は、密度勾配によって誘発される遠心分離を使用して、非機能化ＳＷＮＴから分離される機能化ＳＷＮＴに対して十分に大きいと結論付けられた。]
[0038] ]
[0039] （実施例２）
この実施例において、化学基を共有結合し、予測可能で高度に制御可能な態様で、個別のＳＷＮＴの密度を変えた。次いで、密度の差に基づいて、機能化ＳＷＮＴを非機能化ＳＷＮＴから分離した。]
[0040] 選択的機能化。機能化ＳＷＮＴを調製したところ、金属ＳＷＮＴのみが反応した。図１は、機能化ＳＷＮＴサンプルのＵＶ−ｖｉｓ−ｎＩＲ吸収スペクトルを示し、０．８４ｍＭ試薬液が、基準としての非機能ＳＷＮＴ（対照）とともに注入された。０．８４ｍＭ試薬液を注入した場合（図１Ｂ）、金属種（Ｅ１１Ｍ、４８５−６２０ｎｍ）の第１のＶａｎ Ｈｏｖｅ移行を表すピーク強度は、非機能化ＳＷＮＴ（対照、図１Ａ）のそれらと比較して減少したが、半導電性種の第２（Ｅ２２Ｓ、６２０−９００ｎｍ）および第１（Ｅ１１Ｓ、９００−１３５０ｎｍ）Ｖａｎ Ｈｏｖｅ移行を表すピーク強度は、わずかに変化した。これらの結果は、金属性ＳＷＮＴが選択的に試薬と反応したが、半導電性ＳＷＮＴは反応しなかったことを示した。] 図１ 図１Ａ 図１Ｂ
[0041] 非機能化ＳＷＮＴからの機能化ＳＷＮＴの分離。機能化ＳＷＮＴ（前述のセクションで調製）および対照を、密度勾配溶液中で、２２時間遠心分離した。遠心分離後のこれらのサンプルの遠心分離管の画像を図２に提示する。注入されたＳＷＮＴは、反応サンプルの遠心分離後に、２つの異なる画分に分離され、１つの画分は勾配溶液の上部（（ａ）図２中）に近接し、１つの画分は勾配溶液の下部（（ｂ）図２中）に近接した。対照におけるより高密度の画分の不在に基づいて、４−ヒドロキシフェニル化したＳＷＮＴに対して完全に下部バンドを割り当てる。] 図２
[0042] 下部で収集されたＳＷＮＴの密度が、前述のセクションにおける機能化ＳＷＮＴに対して推定される値に類似していることを検証するために、上部および下部ＳＷＮＴの実際の密度を測定し、０．８４ｍＭ反応サンプルの場合における推定値と比較した。結果を図３に示す。図３における差込図は、遠心分離後の０．８４ｍＭ反応サンプルの図である（図２中のものと同一）。上部および下部の画分の平均密度は、メニスカスからの各画分の距離を溶液の最終密度と一致させることによって算出した。これらの画分の平均測定密度は、それぞれ１０８９．６および１１８７．５ｋｇ／ｍ３であった（これらの画分の平均推定値は、１０８２．９および１１８１．３ｋｇ／ｍ３であった）。したがって、これら２つの画分の密度差は、９７．９ｋｇ／ｍ３であり、算出された平均密度差９８．３ｋｇ／ｍ３と同等であった。このごく近い一致（誤差範囲１％未満内）は、下部画分が機能化ＳＷＮＴを含み、上部画分が非機能化ＳＷＮＴを含むことを示唆した。] 図２ 図３
[0043] 分離した画分に対してラマン測定を行い、分離効率および純度を分光学的に調査した。第１に、６３２．８ｎｍ励起を使用して、すべての分離した画分の無秩序モード（Ｄピーク、１３０５ｃｍ−１）および接線モード（Ｇピーク、１５９２ｃｍ−１）を追跡し、各画分における機能化の程度を調査し、分離前の各初期ＳＷＮＴサンプルのデータとともに、結果を図４に示した。図４における差込図は、分離前後のＳＷＮＴサンプルの遠心分離管の画像を示す。初期反応サンプルのそれと比較して、分離後、下部画分におけるＤピークの強度（ラインｂ）は増大し、下部画分でのそれ（ラインａ）は減少する。これは、機能化ＳＷＮＴは、混合物から分離されて下部で収集されるが、非機能化ＳＷＮＴは、分離されて上部で収集されることを示す。測定値は、４−ヒドロキシフェニル化学基の共有結合によってもたらされる増大密度に基づく分離と一致する。] 図４
[0044] この方法は、機能化カーボンナノチューブの（ｎ，ｍ）化学変換の独立した測定も可能にすることに留意されたい。これは、ラマンまたはフォトルミネッセンス等の較正されていない分光法への依存が少ない、ＳＷＮＴ化学のより厳密な分析を可能にし得る。]
[0045] （選択的機能化の反応スキーム）
この反応に必要な試薬は、ＳＷＮＴおよびジアゾニウム塩であった。１ｗｔ％ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）または２ｗｔ％コール酸ナトリウム（ＳＣ）のいずれかにおいて個別に懸濁される、ＨｉＰｃｏ ＳＷＮＴを、約０．００５〜約０．０２ｗｔ％のＳＷＮＴ濃度で使用した。電子移動メカニズムを介してＳＷＮＴと反応する、任意の種類のジアゾニウム塩は、半導電性ＳＷＮＴの上で金属ＳＷＮＴを選択的に機能化することができる。４−ヒドロキシ、４−クロロ、４−ニトロベンゼンジアゾニウム塩を試験したところ、これらの試薬はすべて機能した。反応は、シリンジポンプ（Ｃｏｌｅ−Ｐａｒｍｅｒ）を使用し、ＳＷＮｔを含有する反応器にジアゾニウム塩溶液を注入することによって、４５℃およびｐＨ５．５で行った。以下に記載される濃度の総量５００μｌのジアゾニウム溶液を、注入速度４１．６６μｌ／ｈで総量約５〜約３５ｍｌのＳＷＮＴ溶液に添加した。１２時間の反応時間を通して、反応器を十分に攪拌した。ジアゾニウム塩の濃度が、ＳＤＳに対して約０．２８ｍＭおよびＳＣに対して約０．８４ｍＭの場合、半導電性ＳＷＮＴを略排除するまで、金属ＳＷＮＴの選択性を観察した（５ｍｌのＳＷＮＴおよび４−ヒドロキシベンゼンジアゾニウム塩の場合。ＳＷＮＴ溶液量が増大した場合は、高度に濃縮したジアゾニウム塩を使用してもよい）。]
[0046] （実施例３）
理論的計算を行い、密度の差が大きいカーボンナノチューブを産生するために使用され得る官能基を決定した。提案官能基の非限定群は、以下の表２で概説される。表２は、機能化カーボンナノチューブの密度、ならびに遠心分離速度１０５ｒｐｍでの機能化ナノチューブの分離を達成するために必要な時間を含む。]
[0047] ]
[0048] 本発明のいくつかの実施形態を本明細書で説明および図示したが、当業者であれば、本明細書で説明される機能を果たし、および／または、結果および／または利点のうちの１つ以上を得るための種々の他の手段および／または構造を容易に想定し、そのような変化例および／または修正のそれぞれは、本発明の範囲内であると見なされる。より一般的には、当業者であれば、本明細書で説明される全てのパラメータ、寸法、材料、および構成は、例示的となるように意図されており、実際のパラメータ、寸法、材料、および／または構成は、本発明の教示が使用される、１つまたは複数の具体的用途に依存することを、容易に理解するであろう。当業者であれば、日常的にすぎない実験を使用して、本明細書で説明される本発明の具体的実施形態の多くの同等物を認識するか、または確認することができるであろう。したがって、先述の実施形態は、一例のみとして提示され、添付の請求項およびその同等物の範囲内で、具体的に説明および請求される以外の方法で本発明が実践されてもよいことを理解されたい。本発明は、本明細書で説明される、各個別特徴、システム、部品、材料、キット、および／または方法を対象とする。加えて、そのような特徴、システム、部品、材料、キット、および／または方法が相互に矛盾していなければ、２つ以上のそのような特徴、システム、部品、材料、キット、および／または方法の任意の組み合わせが、本発明の範囲内に含まれる。]
[0049] 本明細書および本請求項で使用されるような、「１つの」という不定冠詞は、明確にそれとは反対に示されない限り、「少なくとも１つの」を意味すると理解されたい。]
[0050] 本明細書および本請求項で使用されるような、「および／または」という語句は、そのように結合される要素、すなわち、ある場合では接合的に存在し、他の場合では離接的に存在する要素の「いずれか一方または両方」を意味すると理解されたい。明確にそれとは反対に示されない限り、「および／または」という節によって具体的に識別される要素と関係するか、無関係であるかにかかわらず、それらの具体的に識別される要素以外に、他の要素が随意で存在してもよい。したがって、非限定的な例として、「Ａおよび／またはＢ」の参照は、「〜を備える」等の非制約的な用語と併せて使用されると、一実施形態では、ＢのないＡ（随意でＢ以外の要素を含む）を指し、別の実施形態では、ＡのないＢ（随意でＡ以外の要素を含む）を指し、さらに別の実施形態では、ＡおよびＢの両方（随意で他の要素を含む）等を指す。]
[0051] 本明細書および本請求項で使用されるような、「または」は、上記で定義されるような「および／または」と同じ意味を有すると理解されたい。例えば、一覧中のアイテムを分離するときに、「または」あるいは「および／または」は、包括的であるとして解釈されるものであり、すなわち、少なくとも１つを含むが、多数の要素または要素の一覧のうちの２つ以上と、随意で、付加的な非記載アイテムも含む。「〜のうちの１つのみ」または「〜のうちの正確に１つ」等の、明確にそれとは反対に示される用語のみ、または、請求項で使用されるときに、「〜から成る」が、多数の要素または要素の一覧のうちの正確に１つの包含を指す。一般に、本明細書で使用されるような「または」という用語は、「いずれか一方」、「〜のうちの１つ」、「〜のうちの１つのみ」、または「〜のうちの正確に１つ」等の、排他性の用語が先行すると、排他的代替物（すなわち、「一方または他方であるが、両方ではない」）としてのみ解釈されるものである。「本質的に〜から成る」は、請求項で使用されると、特許法の分野で使用されるような、その通常の意味を有するものである。]
[0052] 本明細書および本請求項で使用されるような、１つ以上の要素の一覧を参照した「少なくとも１つ」という語句は、要素の一覧中の要素のうちのいずれか１つ以上から選択される、少なくとも１つの要素を意味するが、要素の一覧内で具体的に記載される、あらゆる要素のうちの少なくとも１つを必ずしも含むとは限らず、要素の一覧中の要素の任意の組み合わせを除外しないことを理解されたい。この定義はまた、「少なくとも１つ」という語句が指す要素の一覧内で具体的に識別される要素と関係するか、無関係であるかにかかわらず、それらの具体的に識別される要素以外の要素が随意で存在してもよいことも許容する。したがって、非限定的な例として、「ＡおよびＢのうちの少なくとも１つ」（または同等に、「ＡまたはＢのうちの少なくとも１つ」、または同等に、「Ａおよび／またはＢのうちの少なくとも１つ」）は、一実施形態では、Ｂが存在しない、随意で２つ以上を含む、少なくとも１つのＡ（随意でＢ以外の要素を含む）を指し、別の実施形態では、Ａが存在しない、随意で２つ以上を含む、少なくとも１つのＢ（随意でＡ以外の要素を含む）を指し、さらに別の実施形態では、随意で２つ以上を含む、少なくとも１つのＡ、および、随意で２つ以上を含む、少なくとも１つのＢ（随意で他の要素を含む）等を指すことができる。]
[0053] 請求項ならびに上記の明細書では、「〜を備える」、「〜を含む」、「〜を持つ」、「〜を有する」、「〜を含有する」、「〜を伴う」、「〜を担持する」、および同等物等の、全ての移行句は非制約的である、すなわち、「〜を含むがそれらに限定されない」を意味すると理解されたい。「〜から成る」および「本質的に〜から成る」という移行句のみが、ｔｈｅ Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ Ｐａｔｅｎｔ Ｏｆｆｉｃｅ Ｍａｎｕａｌ ｏｆ Ｐａｔｅｎｔ Ｅｘａｍｉｎｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｄｕｒｅｓ，Ｓｅｃｔｉｏｎ ２１１１．０３に規定されているように、それぞれ、制約的または半制約的な移行句となるものである。]

权利要求:

請求項1
ナノ構造を分離するための方法であって、複数のナノ構造を提供することと、該ナノ構造をジアゾニウム塩に暴露することであって、それにより、該複数のナノ構造のうちの第１の集団が該ジアゾニウム塩と反応し、かつ、該複数のナノ構造のうちの第２の集団が該ジアゾニウム塩と反応しない、ことと、密度の差に基づいて該第１の集団と該第２の集団とを分離することとを含む、方法。
請求項2
ナノ構造を分離するための方法であって、複数のナノ構造を一式の条件に暴露することであって、該条件の下において、該複数のナノ構造のうちの第１の集団は、該集団の個々の構成物の密度に影響を及ぼす態様で修正され、その態様は、該複数のナノ構造のうちの第２の集団とは異なっている、ことと、約１００，０００ｇ未満の相対遠心力を有する遠心分離機を使用して、該第１の集団と該第２の集団とを分離することとを含む、方法。
請求項3
ナノ構造を分離するための方法であって、複数のナノ構造を一式の条件に暴露することであって、該条件の下において、該複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該複数のナノ構造のうちの該第１の集団の個々の構成物の平均密度が、該ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１００ｋｇ／ｍ３だけ大きくなる、ことと、密度の差に基づいて該第１の集団と第２の集団とを分離することとを含む、方法。
請求項4
ナノ構造を分離するための方法であって、複数のナノ構造を一式の条件に暴露することであって、該条件の下において、該複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度が、該ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１０％だけ大きくなる、ことと、密度の差に基づいて該第１の集団と第２の集団とを分離することとを含む、方法。
請求項5
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、約１００，０００ｇ未満の相対遠心力を有する遠心分離機を使用することを含む、請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項6
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、約１０，０００ｇ未満の相対遠心力を有する遠心分離機を使用することを含む、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項7
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、約１０００ｇ未満の相対遠心力を有する遠心分離機を使用することを含む、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項8
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、約１０ｇ未満の相対遠心力を有する遠心分離機を使用することを含む、請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項9
前記第１の集団を修正することは、該第１の集団内の前記ナノ構造にエンティティを付着させることを含む、請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項10
前記第１の集団を修正することは、該第１の集団内の前記ナノ構造にエンティティを共有結合的に付着させることを含む、請求項１〜９のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項11
前記第１の集団を修正することは、該第１の集団内の前記ナノ構造にジアゾニウム塩を共有結合的に付着させることを含む、請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項12
前記第１の集団は、金属ナノ構造を備える、請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項13
前記第２の集団は、半導電性ナノ構造を備える、請求項１〜１２のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項14
前記第２の集団は、非伝導性ナノ構造を備える、請求項１〜１３のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項15
前記第１および第２の集団は、異なるキラル角を有するナノ構造を備える、請求項１〜１４のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項16
前記第１および第２の集団は、異なる直径を有するナノ構造を備える、請求項１〜１５のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項17
前記第１および第２の集団は、異なる熱伝導性を有するナノ構造を備える、請求項１〜１６のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項18
前記第１および第２の集団は、異なるバンドギャップを有するナノ構造を備える、請求項１〜１７のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項19
前記第１および第２の集団内のナノ構造のキラル角の差は、約３°である、請求項１〜１８のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項20
前記ナノ構造は、炭素系ナノ構造を備える、請求項１〜１９のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項21
前記ナノ構造は、カーボンナノチューブを備える、請求項１〜２０のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項22
前記ナノ構造は、単層カーボンナノチューブを備える、請求項１〜２１のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項23
前記ナノ構造は、多層カーボンナノチューブを備える、請求項１〜２２のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項24
前記ナノ構造は、少なくとも１つの炭素系層と、少なくとも１つの非炭素層とを備える、多層ナノチューブを備える、請求項１〜２３のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項25
前記ナノ構造は、非カーボンナノチューブを備える、請求項１〜２４のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項26
前記ナノ構造は、ＩＩ〜ＶＩ族ナノチューブを備える、請求項１〜２５のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項27
前記ナノ構造は、ＩＩＩ〜Ｖ族ナノチューブを備える、請求項１〜２６のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項28
前記ナノ構造は、金属を備えるナノチューブを備える、請求項１〜２７のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項29
前記ナノ構造は、グラフェンを備える、請求項１〜２８のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項30
前記ナノ構造は、炭素ナノホーンを備える、請求項１〜２９のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項31
前記ナノ構造は、炭素ナノワイヤを備える、請求項１〜３０のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項32
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１５０ｋｇ／ｍ３だけ大きくなる、請求項１〜３１のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項33
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約２５０ｋｇ／ｍ３だけ大きくなる、請求項１〜３２のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項34
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約５００ｋｇ／ｍ３だけ大きくなる、請求項１〜３３のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項35
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約７５０ｋｇ／ｍ３だけ大きくなる、請求項１〜３４のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項36
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１０００ｋｇ／ｍ３だけ大きくなる、請求項１〜３５のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項37
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１５００ｋｇ／ｍ３だけ大きくなる、請求項１〜３６のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項38
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１０％だけ大きくなる、請求項１〜３７のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項39
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約２０％だけ大きくなる、請求項１〜３８のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項40
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約５０％だけ大きくなる、請求項１〜３９のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項41
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１００％だけ大きくなる、請求項１〜４０のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項42
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約１５０％大きくなる、請求項１〜４１のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項43
前記複数のナノ構造のうちの第１の集団が修正されることにより、該第１の集団の個々の構成物の平均密度は、ナノ構造のうちの第２の集団の個々の構成物の平均密度より少なくとも約２００％だけ大きくなる、請求項１〜４２のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項44
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、少なくとも５０％完了まで分離することを含む、請求項１〜４３のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項45
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、少なくとも７０％完了まで分離することを含む、請求項１〜４４のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項46
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、少なくとも８０％完了まで分離することを含む、請求項１〜４５のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項47
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、少なくとも９０％完了まで分離することを含む、請求項１〜４６のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項48
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、少なくとも９５％完了まで分離することを含む、請求項１〜４７のうちのいずれか一項に記載の方法。
請求項49
前記第１の集団と第２の集団とを分離することは、少なくとも９８％完了まで分離することを含む、請求項１〜４８のうちのいずれか一項に記載の方法。